深能級瞬態(tài)譜儀是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要技術手段。根據半導體P-N結、金－半接觸結構肖特基結的瞬態(tài)電容（△C～t）技術和深能級瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術測量出的深能級瞬態(tài)譜，是一種具有*檢測靈敏度(檢測靈敏度通常為半導體材料中摻雜濟濃度的萬分之一)的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶范圍內的雜質、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS譜。集成多種全自動的測量模式及全面的數據分析，可以確定雜質的類型、含量以及隨深度的分布。